[发明专利]一种形貌可控的纳米结构阵列制备方法在审
| 申请号： | 202111218124.3 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113913766A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵晓宇;唐秀霞;温嘉红;张鉴;王雅新;钟家松;孔哲;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/58;C23F4/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形貌可控的纳米结构阵列制备方法，包括以下步骤：(1)采用自组装法制备得到六方密排的单层聚苯乙烯微球阵列；(2)利用磁控溅射技术在单层聚苯乙烯微球阵列表面溅射金属膜，得到金属纳米球周期阵列；(3)利用离子束刻蚀技术对所得到的金属纳米球阵列进行刻蚀，得到形貌可控纳米结构阵列。本发明采用了较为简单的离子束刻蚀技术，利用相邻球的阴影遮挡效应，可对纳米球阵列进行选择性的刻蚀，即形成具有形貌可控的纳米阵列，工艺步骤简单，可操作性强，过程稳定可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形貌 可控 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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