[发明专利]一种卤铜铯晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202111219006.4 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113955792B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 刘满营;范二闯;郑直 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种卤铜铯晶体的制备方法。首先制备晶体母液：按铜与铯的原子比为2：1称量铜源和铯源；将称量好的铜源、铯源、氢卤酸混合均匀，氢卤酸过量，装入密闭反应釜中进行水热反应形成卤铜铯CsCu |
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| 搜索关键词： | 一种 卤铜铯 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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