[发明专利]表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111219428.1 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114023879A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孙娟;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法。所述方法包括以下步骤：提供至少一层表面粗糙的多晶硅结构，一层多晶硅结构包括表面粗糙的多晶硅层和覆盖在多晶硅层粗糙面上的介质层，介质层的形貌与多晶硅层的粗糙面形貌一致；使得介质层上形成抗反射层；通过光刻工艺，在反射层上定义出刻蚀图案，刻蚀图案包括刻蚀区和保护区；基于刻蚀图案，进行第一刻蚀，刻蚀去除刻蚀区位置处的抗反射层，形成位于介质层中的第一刻蚀停止面，第一刻蚀停止面表面平滑；基于刻蚀图案，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除刻蚀区位置处剩余的介质层；基于刻蚀图案，刻蚀去除刻蚀区位置处的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 粗糙 多晶 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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