[发明专利]一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用

摘要

本申请公开了一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO·xMQ2O4 式I；其中，所述M选自二价过渡金属元素中的任一种；所述Q选自VIII族元素中的任一种；所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比，所述x的取值范围为1～2.5；所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述自PN结半导体纳米材料解决了现有技术中MO禁带宽度大，光电转化效率不高且只对紫外光有较强的吸收等问题，具有良好的作为近红外光电探测器应用前景。