[发明专利]采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 202111225386.2 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114068720A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 关世瑛;洪旭峰;严利人;刘志弘;宋凯霖;王锰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件，与传统的离子注入形成阱区的工艺相比，掺杂杂质分布的均匀性大大提升，因而进一步带来器件特性上的提高，突出表现在更好的开启电压均匀性，更好的导电通道电阻值的稳定性、可重复性，更低的沟道区噪声，等等，故此本发明方案的采用，就成为了SiC MOS器件生产制造中产品良率，片内片间的均匀性、可重复性等，本发明的有益效果为，采用外延的方式得到器件的基本结构，即阱区，因为阱区掺杂杂质的分布的均匀性得到了提升和保证，对于器件的正向和反向特性就都带来了益处；突出表现为SiC MOS器件具备更好的开启电压均匀性，更好的导电沟道的稳定性、可重复性，更低的噪声，更好的漏电和击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 外延 工艺 方案 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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