[发明专利]一种低功耗自偏置高稳定性带隙基准电路在审
申请号: | 202111228613.7 | 申请日: | 2021-10-21 |
公开(公告)号: | CN113885630A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 代培彦;史江义;张健源 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人: | 胡维 |
地址: | 710075 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明属于微电子技术领域,涉及一种低功耗自偏置高稳定性带隙基准电路。该电路包括:启动电路、电流产生电路和带隙基准核心电路;通过将晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18以及晶体管M19四个晶体管进行串联,触发带隙基准核心电路启动工作,相比同尺寸的单个晶体管而言,具有更小的启动电流;在电流产生电路中,利用带隙基准电路自身产生的基准电压V |
||
搜索关键词: | 一种 功耗 偏置 稳定性 基准 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111228613.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。