[发明专利]一种低功耗自偏置高稳定性带隙基准电路在审

专利信息
申请号: 202111228613.7 申请日: 2021-10-21
公开(公告)号: CN113885630A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 代培彦;史江义;张健源 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 代理人: 胡维
地址: 710075 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于微电子技术领域,涉及一种低功耗自偏置高稳定性带隙基准电路。该电路包括:启动电路、电流产生电路和带隙基准核心电路;通过将晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18以及晶体管M19四个晶体管进行串联,触发带隙基准核心电路启动工作,相比同尺寸的单个晶体管而言,具有更小的启动电流;在电流产生电路中,利用带隙基准电路自身产生的基准电压VREF产生基准电流源,为带隙基准核心电路提供偏置电流而无需设计额外的基准电流源,降低了电路设计的复杂性,节省了芯片的版图面积,也进一步降低了带隙基准电路的功耗;在带隙基准核心电路中,采用共源共栅‑米勒补偿技术,极大地提高了带隙基准的稳定性和电源噪声抑制能力。
搜索关键词: 一种 功耗 偏置 稳定性 基准 电路
【主权项】:
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