[发明专利]一种柔性单晶薄膜光电探测器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111231054.5 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114300571A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘云杰;武玉鹏;赵世荣;刘英明;郝兰众 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/09;C23C14/00;C23C14/04;C23C14/20;C23C14/35;C30B23/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳制造与光电探测器件相关技术领域，其公开了一种柔性单晶薄膜光电探测器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用直流磁控溅射技术在NaCl晶体表面制备单晶薄膜材料；(2)薄膜从NaCl晶体表面剥离；(3)在柔性塑料基底上制备电极结构；(4)将剥离脱落的单晶薄膜转移至形成电极结构的塑料基底上，制备完成。本发明具有工艺简单、生产过程及产品均绿色环保，成品率高、制造成本低，可实现宽波段探测、响应率高及高柔性等优点，适于规模化工业生产，在光电探测和可穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜 光电 探测 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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