[发明专利]一种GaN器件的制作方法及一种GaN器件有效
| 申请号： | 202111232155.4 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113990825B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张启华;张洁;简维廷;蒋军浩;张勇为;张洋 | 申请（专利权）人： | 洪启集成电路（珠海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 潘桂生 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的一种GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；在所述第二GaN层上生长一层金属基层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行平坦化处理；在所述第一绝缘层上制备电极。本发明所述的一种GaN器件的制作方法具有增强GaN器件散热能力的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洪启集成电路（珠海）有限公司，未经洪启集成电路（珠海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111232155.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
