[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本公开涉及一种图像传感器及其制造方法。公开一种用于高清晰度HD图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包含数个分裂像素单元，每一分裂像素单元包含第一光电二极管及比所述第一光电二极管对入射光更敏感的第二光电二极管。所述第一光电二极管可用于感测明亮或高强度光条件，而所述第二光电二极管可用于感测低到中强度光条件。在所述所公开像素阵列中，通过在每一分裂像素单元的所述第一光电二极管上方施加光衰减层来降低一或多个光电二极管的敏感度。根据本公开的方法，可在形成金属光学隔离栅格结构之前形成所述光衰减层。这可能导致更好地控制所述光衰减层的厚度及均匀性。