[发明专利]一种改善金属栅研磨凹陷的工艺方法在审
| 申请号： | 202111238557.5 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114023639A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 夏小峰;彭翔;唐小亮;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善金属栅研磨凹陷的工艺方法，提供位于基底上的栅氧层，在基底上依次形成多晶硅层以及位于多晶硅层上的叠层；多晶硅层和所述叠层覆盖栅氧层；刻蚀叠层和多晶硅层形成伪栅极；沉积覆盖伪栅极和基底上表面的层间介质层；之后去除伪栅极，形成凹槽；用金属填充凹槽，填充金属后的凹槽形成金属栅；刻蚀凹槽内的金属，形成多个由金属条相互隔离的狭槽；且刻蚀停留在金属上，使金属下的所述栅氧层未被暴露；在狭槽内填充氧化物；研磨填充氧化物后的基底上表面，使得金属栅表面平坦。本发明在金属栅研磨工艺中起到防止凹陷的作用，并且无需将多晶硅刻穿，栅氧层不会暴露，有效杜绝后续工艺引入的各种可能缺陷源，改善了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 研磨 凹陷 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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