[发明专利]存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111243473.0 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114078954A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈赫;董金文;朱继锋;华子群;肖亮;王永庆 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。本发明的存储器结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高存储器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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