[发明专利]一种通过离子液体钝化消除蓝色准二维钙钛矿薄膜中低维量子阱域的方法在审
申请号: | 202111243539.6 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN114171707A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 邢军;张明明;朱宁宁 | 申请(专利权)人: | 青岛科技大学 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人: | 孟琦 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
本发明通过引入离子液体来消除基于传统铵盐制备的低维准二维钙钛矿薄膜中的量子阱域(钙钛矿薄膜层数为1、2、3),由于乙酸正丁铵(BAAc)与溴化甲铵(MABr)分子独特的作用机制,使得乙酸根负离子(Ac |
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搜索关键词: | 一种 通过 离子 液体 钝化 消除 蓝色 二维 钙钛矿 薄膜 中低维 量子 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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