[发明专利]一种太赫兹双通道调制器及制备方法在审
| 申请号： | 202111254811.0 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113917713A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 潘武;杨龙亮;刘博文;肖惠云 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/01;G02F1/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 喻英 |
| 地址： | 400000 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹双通道调制器及制备方法，外延层生长在衬底上，调制阵列设置在所述外延层上；调制阵列由M*N个阵元结构组成，且每行阵元结构的第一栅极馈线与第一肖特基电极连接，每行阵元结构的第二栅极馈线与第二肖特基电极连接，M2，N2；每行阵元结构的第一源漏馈线与第二源漏馈线均与所述欧姆电极连接；调制阵列用于通过不同频率的太赫兹波；第一肖特基电极与第二肖特基电极分别与欧姆电极通过直流电源串联；本发明的有益效果为改变超材料结构的谐振模式，进而实现对多个频段的太赫兹波的调控；实现多个频点的独立调制，调制深度高，且具有尺寸小，易集成等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 双通道 调制器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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