[发明专利]一种高纯铱的制备方法有效
| 申请号： | 202111256036.2 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114457242B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王亚峰;王占卫;彭立培;林坤;冀嘉梁;童莹;张长金;郭晓彬 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
| 主分类号： | C22B11/00 | 分类号： | C22B11/00;C22B3/44;C23C16/14 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜;仇蕾安 |
| 地址： | 056027*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯铱的制备方法，属于难熔金属制备领域。所述方法通过将铱原料与三氟化氮在50～500℃下进行氟化反应，生成氟化铱和氮气；得到的氟化铱进行纯化处理，得到纯化后纯度为99.9～99.9999％的氟化铱；再利用化学气相沉积将纯化后的氟化铱与氢气进行反应，生成的高纯铱沉积在基体材料上，得到厚度为4.0～80.0mm的高纯铱。所述方法需要设备种类少，步骤简单，工艺稳定，能够批量化生产，制得高纯铱纯度提升至99.999％以上，达到国际领先水平；得到毫米级的厚度的高纯铱能够实现切割基材，突破了CVD工艺还只是制备铱薄膜或涂层的技术壁垒，有效拓宽了高纯铱产品的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
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