[发明专利]磁传感器设备在审
| 申请号： | 202111263588.6 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114442011A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | Y·比多;L·通贝兹 | 申请（专利权）人： | 迈来芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈依心;黄嵩泉 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了磁传感器设备。一种集成传感器设备(920；970；1070)，包括：半导体衬底，包括水平霍尔元件(Hc)和大致位于该水平霍尔元件(Hc)上方的集成磁通量集中器(911；1011)，其中，第一磁通量集中器具有几何中心与水平霍尔元件的几何中心对齐的形状；并且其中该形状具有高度(H)和横向尺寸(D)，其中H≥30μm和/或其中(H/D)≥25％。集成磁通量集中器可部分并入“互连堆叠”(1223；1323)中。一种生产这种集成传感器设备的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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