[发明专利]一种阻变存储器制造方法及阻变存储器在审
| 申请号： | 202111265459.0 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113991016A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;张卫;朱宝;尹睿;奚晶晶 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阻变存储器的制造方法，包括：在衬底上制备底电极层，底电极层材料为铝；通过氧等离子处理方法在底电极层上制备缓冲层，缓冲层材料为氧化铝；在缓冲层上制备阻变层；在阻变层上制备顶电极层。该阻变存储器的制造方法既能提升器件性能，也足够简单。本发明还提供了一种阻变存储器，通过上述阻变存储器制造方法获得。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路制造创新中心有限公司，未经上海集成电路制造创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111265459.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
