[发明专利]一种高压TFT驱动的冷阴极平板X光源及制备方法在审
| 申请号： | 202111267038.1 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114050099A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈军;李晓杰;刘川;邓少芝;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J35/02 | 分类号： | H01J35/02;H01J9/02;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 牛念 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及真空微纳电子的技术领域，更具体地，涉及一种高压TFT驱动的冷阴极平板X光源及制备方法，包括可寻址的纳米冷阴极电子源阵列基板、设有金属薄膜靶层的阳极基板，其中，所述可寻址的纳米冷阴极电子源阵列基板由带场板结构的高压TFT驱动，可寻址的纳米冷阴极电子源阵列基板与阳极基板平行相对设置，且冷阴极电子源阵列基板和阳极基板之间设置绝缘隔离体，冷阴极电子源阵列基板在高压TFT的作用下出射聚焦后的电子轰击阳极基板中的金属薄膜靶层从而产生可寻址的X射线，本发明中，对场板结构施加负电压，能有效提高高压TFT的击穿电压，满足平板X光源对驱动单元高工作电压的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 tft 驱动 阴极 平板 光源 制备 方法 | ||
【主权项】：
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