[发明专利]一维单晶锗基石墨烯等离激元纳米结构的制备方法有效
| 申请号： | 202111269115.7 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113981533B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈珂;常凯莉;顾玉宗;王红芹 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/08;C30B29/60;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/54;C23C16/26;C23C28/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 郑园 |
| 地址： | 475004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种一维单晶锗基石墨烯等离激元纳米结构的制备方法，步骤如下：（1）在衬底上利用磁控溅射的方法溅射金纳米薄膜；（2）在步骤（1）得到的衬底上采用化学气相沉积生长掺杂锗单晶纳米线；（3）在步骤（2）得到的掺杂锗单晶纳米线表面采用化学气相沉积直接生长高质量石墨烯，获得一维锗基石墨烯表面等离激元纳米结构。本发明通过化学气相沉积法在锗单晶纳米线表面直接生长石墨烯，避免了传统的石墨烯薄膜转移过程，最大程度上减小了转移过程对石墨烯载流子迁移率的影响，增强了锗与石墨烯之间中红外表面等离激元的耦合。本发明所提供的材料具有强烈且可调的表面等离激元效应，有望在分子指纹检测、中红外传感、光子芯片等领域广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一维单晶锗 基石 离激元 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学，未经河南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111269115.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
