[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
| 申请号： | 202111269786.3 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114446824A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 高桥朋宏;武知圭 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备处理槽(2)、衬底保持部(130)、气泡供给部件(4)、处理液补充部件(5)、及控制部(111)。处理槽(2)贮存处理液(LQ)。衬底保持部(130)在处理槽(2)内保持衬底(W)，并使衬底(W)浸渍在处理槽(2)中所贮存的处理液(LQ)中。气泡供给部件(4)对浸渍在处理液(LQ)中的衬底(W)的表面供给气泡。处理液补充部件(5)向处理槽(2)中补充处理液(LQ)。控制部(111)相应于从气泡供给部件(4)供给的气泡的量阶段性地或逐步地减少，而从处理液补充部件(5)补充处理液(LQ)。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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