[发明专利]分栅存储器阵列结构及操作方法在审
| 申请号： | 202111270187.3 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114023364A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王宁;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分栅存储器阵列结构，所述的分栅存储器阵列结构由多个结构相同的存储单元在X方向和Y方向形成存储阵列；所述存储阵列放置于阱中；各个所述的存储单元为分栅结构形成选择管和存储管；在所述的存储阵列中，在Y方向上，每相邻的两个存储单元采用共源连接，即每相邻的两个存储单元的选择管为共源连接；共源相邻的两个存储单元的两个选择栅短接之后接X方向的选择管字线WL；每共源相邻的两个存储单元的存储栅分别接存储栅字线WLSa、WLSb；所述存储阵列中位于同一列上的所有存储管的漏极均与对应该列的Y方向的位线BL连接。本发明使用共源相邻的分栅结构存储器阵列结构，存储单元的结构更加紧凑，有效缩减了存储单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 结构 操作方法 | ||
【主权项】：
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