[发明专利]一种三色探测器在审
申请号: | 202111271448.3 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114005898A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 张云霄;李爱民;孙文宝 | 申请(专利权)人: | 天津津航技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101 |
代理公司: | 天津市鼎拓知识产权代理有限公司 12233 | 代理人: | 刘雪娜 |
地址: | 300000 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本申请公开了一种三色探测器。包括:探测器本体;所述探测器本体包括:自下至上依次堆叠设置的p型锑基超晶格材料层、p型拓扑绝缘体薄膜材料层、BN二维材料层和p型AlGaN材料层;本申请具体地利用自下至上依次堆叠设置的p型锑基超晶格材料层、p型拓扑绝缘体薄膜材料层、BN二维材料层和p型AlGaN材料层形成探测器本体,并且,p型AlGaN材料层具备上金属电极,p型锑基超晶格材料层具备中金属电极与下金属电极,通过分别调节上金属电极、中金属电极及下金属电极所施加的偏压,以使p型锑基超晶格材料层可探测红外波段与可见光波段、p型AlGaN材料层可探测紫外波段,实现三种波段探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 三色 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的