[发明专利]标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法及对应的碳化硅晶圆在审
| 申请号： | 202111271477.X | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114121619A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张行富;宣丽英;潘胜浆 | 申请（专利权）人： | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L23/544;H01L29/16 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶圆制造技术领域，公开了一种标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法及对应的碳化硅晶圆，包括：对碳化硅晶圆外侧的定位标记的一端或两端进行加工形成倒角；当只在定位标记的一端设置倒角时，设定当倒角位于定位标记的左端或者右端时，对应的碳化硅晶圆表面为碳极性面或者硅极性面；当在定位标记的两端分别设置倒角时，设定当定位标记左端的倒角大于右边的倒角或者定位标记左端的倒角小于右边的倒角时，对应的碳化硅晶圆表面为碳极性面或者硅极性面。本发明通过在定位标记一端设置倒角或两端设置大小不同的倒角的方式区分所述碳化硅晶圆的碳极性面和硅极性面；使得能够快速的识别碳极性面和硅极性面，成功率高，简单可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 碳化硅 晶圆碳硅 极性 方法 对应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
