[发明专利]晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构在审

专利信息
申请号: 202111271496.2 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN113903706A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 李瀚宇 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/48
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 沈晓敏
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构,所述方法包括步骤:提供一设置有焊垫的晶圆和基板,将晶圆以焊垫朝向基板的方向覆于基板上;在晶圆上形成环形通孔,并使环形通孔外轮廓和焊垫之间至少存在部分重叠;在晶圆表面覆盖绝缘层,并使绝缘层填充于环形通孔;在晶圆位于环形通孔内轮廓之内的区域形成贯通孔,贯通孔暴露焊垫;在绝缘层表面及贯通孔内形成电性连接于焊垫的金属层。通过利用环形通孔,使绝缘层和金属层之间结合面于底部形成内倒角的结构,大幅降低了对封装结构中各层厚度及结构均一性的要求,并且配合使用干膜压合工艺形成绝缘层显著简化了生产工艺流程,无需高端设备及工艺要求,降低了生产成本。
搜索关键词: 晶圆级硅通孔 封装 结构 制作方法 硅通孔
【主权项】:
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