[发明专利]晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构在审
申请号: | 202111271496.2 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN113903706A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 李瀚宇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/48 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构,所述方法包括步骤:提供一设置有焊垫的晶圆和基板,将晶圆以焊垫朝向基板的方向覆于基板上;在晶圆上形成环形通孔,并使环形通孔外轮廓和焊垫之间至少存在部分重叠;在晶圆表面覆盖绝缘层,并使绝缘层填充于环形通孔;在晶圆位于环形通孔内轮廓之内的区域形成贯通孔,贯通孔暴露焊垫;在绝缘层表面及贯通孔内形成电性连接于焊垫的金属层。通过利用环形通孔,使绝缘层和金属层之间结合面于底部形成内倒角的结构,大幅降低了对封装结构中各层厚度及结构均一性的要求,并且配合使用干膜压合工艺形成绝缘层显著简化了生产工艺流程,无需高端设备及工艺要求,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级硅通孔 封装 结构 制作方法 硅通孔 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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