[发明专利]一种半导体器件测试方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111272589.7 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN114047412A 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 冯宇翔;左安超;潘志坚;张土明;谢荣才 申请(专利权)人: 广东汇芯半导体有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12;G01R31/26;G01R1/04
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 陈建昌
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种半导体器件测试方法及装置,应用于智能功率模块的性能测试,半导体器件测试方法包括:将半导体器件与耐压测试仪通过耐压测试连接导线短接至一起进行耐压测试;在耐压测试后,基于引脚间连筋对所述半导体器件的连接引脚进行切脚成型;在切脚成型后,对所述半导体器件进行电参数测试。本发明技术方案避免半导体器件测试时先切脚成型,再耐压测试时,造成半导体器件失效的问题,降低了测试失效成本。
搜索关键词: 一种 半导体器件 测试 方法 装置
【主权项】:
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