[发明专利]基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法在审
| 申请号： | 202111273846.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN115392171A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;张永明;魏鸿基;林义书 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;李艾华 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法，包括：基于外部输入的栅极电压、漏极电势和源极电势，获得栅极沟道电压；基于栅极电荷密度、栅极根数、栅极长度和单根栅极的宽度，获得栅极电荷；基于漏极电势和源极电势，获得漏源电势差；基于所述栅极沟道电压、栅极电荷和漏源电势差，建立用于表征晶体管器件开启后电荷值与漏源电压相关性的电荷模型；对所述电荷模型的电荷值进行微分，建立用于表征栅源电容、栅源电压和漏源电压相关性的电容模型。本发明支持基于GaN工艺的HEMT晶体管的电荷/电容描述，特别是沟道开启后栅源电容、栅源电压和漏源电压的关系描述，模型准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 工艺 hemt 晶体管 电荷 模型 建立 萃取 方法 | ||
【主权项】：
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