[发明专利]一种红光VCSEL芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111275259.3 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114122911A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张新勇;刘浩飞;苑汇帛;杨绍林;郑鑫;张彬;宋世金 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红光VCSEL芯片及其制备方法，涉及激光芯片技术领域。本发明的一种红光VCSEL芯片，包括包括衬底，缓冲层、底部反射层、有源层、氧化限制层、顶部反射层和钝化层；所述底部反射层包括第一BOTTOM DBR层和第二BOTTOM DBR层，所述第一BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第一复合层，第二BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第二复合层，所述顶部反射层包括第一TOP DBR层和第二TOP DBR层，所述第一TOP DBR层包括重叠生长的多对第三复合层，第二TOP DBR层包括重叠生长的多对第四复合层。本发明公开了一种红光VCSEL芯片及其制备方法，利用复合DBR层，仅使用较少DBR的周期数就可获得高的反射率，从而降低因DBR材料晶格不匹配形成的应力和禁带差异引起的电阻，进而提升红光VCSEL的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红光 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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