[发明专利]具有本征GaN帽层和多沟道的肖特基势垒二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202111276721.1 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114171606A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张涛;李若晗;段小玲;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/267;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有本征GaN帽层和多沟道的肖特基势垒二极管及制备方法，肖特基势垒二极管包括：衬底层、成核层、缓冲层、异质结多沟道结构、本征GaN帽层、阳电极、阴电极和阳极场板，衬底层、成核层、缓冲层、异质结多沟道结构和本征GaN帽层依次层叠；阳电极设置在本征GaN帽层和异质结多沟道结构的一端；阴电极位于本征GaN帽层和异质结多沟道结构的另一端；阳极场板位于阳电极和本征GaN帽层上。该肖特基二极管中，本征厚GaN帽层结构能有效缓解势垒层表面态的作用来抑制电流崩塌，提高器件的可靠性；异质结多沟道结构能够提高电子迁移率，增大器件总二维电子气密度，减小材料方阻，减小串联电阻，实现器件在高频高压应用领域的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 gan 沟道 肖特基势垒二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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