[发明专利]一种实现掺杂或组分调节的提拉法晶体生长的装置及方法在审
| 申请号： | 202111276744.2 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113981526A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 窦仁勤;张庆礼;王小飞;张德明;孙贵花;刘文鹏;罗建乔 | 申请（专利权）人： | 安徽中科未来技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/04;C30B15/12;C30B29/28 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 230031 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种实现掺杂或组分调节的提拉法晶体生长的装置及方法，包括：提拉炉、升降机构、感应线圈、第一保温结构、第二保温结构、盛装有第一浓度晶体原料的第一坩埚、盛装有第二浓度晶体原料的第二坩埚以及籽晶杆；通过感应线圈对第一坩埚和第二坩埚进行感应加热，使得第一坩埚和第二坩埚的晶体原料熔化，通过提拉法生长工艺提拉籽晶杆进行晶体的生长，在晶体生长的同时，控制升降机构以预设速度上升从而推动第一坩埚上升，使得第一坩埚内熔化的晶体原料可以通过缝隙结构补充入第二坩埚中。该方法实现晶体浓度梯度调节的同时，还可以降低晶体生长过程中由于组分挥发带来的缺陷，从而提高了晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 掺杂 组分 调节 提拉法 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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