[发明专利]一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积的负极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111277420.0 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114122370A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 宋江选;查光明;王帅 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;H01M10/052 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积的负极材料及其制备方法，该硅碳复合材料包括多孔碳微球及硅颗粒。所述多孔碳微球由导电炭黑(SP)、碳纳米管(CNT)构成，硅颗粒均匀附着在所述多孔碳微球的内部或表面。本发明基于碳质材料导电性、保护性、机械强度和循环稳定性且来源丰富、成本低的特点，统筹兼顾硅作为主体材料的高比容和碳质材料高的导电性和保护性，针对现有技术的存在的缺陷，提出一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积制备硅碳负极材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 双键 修饰 诱导 硅烷 沉积 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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