[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202111280878.1 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114464235A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 川嶋祥之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;H01L29/51;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及制造半导体器件的方法。在使用多个非易失性存储器单元实现神经网络电路的情况下，提供一种能够准确读取记录在多个非易失性存储器单元中的信息的技术。一种半导体器件，包括：多个非易失性存储器单元；多个参考电流单元；以及感测放大器，用于比较在所述多个非易失性存储器单元中的每个中流动的电流和在所述多个参考电流单元中的每个中流动的电流。在这种情况下，多个参考电流单元的每个横截面结构与多个非易失性存储器单元的每个横截面结构相同。当对多个非易失性存储器单元中的每个执行写入操作或擦除操作时，也对多个参考电流存储器单元中的每个执行写入操作或擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111280878.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
