[发明专利]具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括N型衬底；在N型衬底中的顶部间隔制作有左P型阱和右P型阱；在所述左P型阱中形成有第一P+注入区和第一N+注入区；在所述右P型阱中形成有第二P+注入区和第二N+注入区；在左P型阱和右P型阱的中间、左P型阱的外侧以及右P型阱的外侧分别制作有第一N型阱、第二N型阱和第三N型阱，左P型阱分别与其两侧的第二N型阱和第一N型阱相交，右P型阱分别与其两侧的第一N型阱和第三N型阱相交；左P型阱与其两侧N型阱的相交区、右P型阱与其两侧N型阱的相交区分别形成由于杂质补偿所形成的中性区；本发明器件更为紧凑，节约成本。