[发明专利]一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 202111281489.0 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114256387B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 刘晓瑞;王伟;吴仕梁;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/075;H10K71/12;H10K71/00;H10K30/81;H10K30/40;H10K30/50;H10K39/15 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 陶得天 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿‑异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法,涉及太阳能电池制造领域。正面减少了阴影遮挡面积,使其具有高的光电转换效率和高的开路电压,增加了发电量,减少组件功率损失。所述叠层太阳能电池包括层叠的钙钛矿电池以及MWT异质结硅基底电池;所述钙钛矿电池结构从上到下依次包括第一透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层;所述MWT异质结硅基底电池从上到下依次包括第二透明导电层、N型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅基底、本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、背面ITO导电层。突破了对钙钛矿顶电池材料的带隙限制,增大了对电池材料的选择范围,有利于电池效率的提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 异质结三端 mwt 结构 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的