[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括第一阵列区、第二阵列区以及第一连接区，第一连接区包括在第一方向上设置的多个功能区域，功能区域包括在第二方向上设置的两个子连接区域；刻蚀多个子连接区域上的堆叠结构以形成多个初始阶梯块，多个初始阶梯块呈两排设置，在第一方向上，每个初始阶梯块的第一初始部分与第二初始部分具有高度差；在第二方向上，相邻的两个初始阶梯块之间具有高度差；对多个初始阶梯块进行刻蚀以形成多个依次设置的台阶块，在第二方向上，台阶块呈两排设置，台阶块中的台阶包括至少四个堆叠对。本发明的台阶角落里不会有残留物残留，台阶块后续的操作空间较大。