[发明专利]一种基于磁致伸缩材料的微光纤磁场传感器及制备方法在审
申请号: | 202111282380.9 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114019430A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 徐飞;万圣杰;陈烨;朱润泽;曹鸿谦 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032;G02B6/255 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210008 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种基于磁致伸缩材料的微光纤磁场传感器,包括单模光纤、多模光纤、第一薄膜层、第二薄膜层;所述多模光纤两端与单模光纤熔接,熔接后的多模光纤拉锥得到微光纤腰区;所述第一薄膜层覆盖在微光纤腰区;所述第二薄膜层覆盖在第一薄膜层外面;所述第一薄膜层为聚合物薄膜;所述第二薄膜层为磁致伸缩薄膜。本发明通过拉锥之后镀膜的方法实现对磁场的传感,腰区直径仅为10微米左右,能够进入一些较为密闭的环境中进行探测任务;通过聚合物薄膜作为应力传导层,使得微光纤在镀上金属薄膜后仍能通光,利用微光纤倏逝场强的特点,提升光纤传感器对磁场的响应灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 伸缩 材料 微光 磁场 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学,未经南京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111282380.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。