[发明专利]用于晶圆级封装的共晶键合方法在审
| 申请号： | 202111283824.0 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN116072521A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 彭鑫林;季宇成;郭松;冯刘昊东;陈朔;王诗男 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层。本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可提高键合结构的质量，并且有利于键合条件和结果的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆级 封装 共晶键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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