[发明专利]单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片在审
| 申请号： | 202111284481.X | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114446773A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李时雨;金炳鈗 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体CMOS晶片以用于形成竖直三维3D存储器的系统、方法和设备。一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的实例方法包含：提供硅衬底；将单晶硅锗层形成到所述衬底的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅锗层；将单晶硅层形成到所述硅锗的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅层；以及在重复叠加中，形成硅锗层和硅层以形成交替的硅层和硅锗层的竖直堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 堆叠 形成 接合 互补 金属 氧化物 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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