[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202111286445.7 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114006265A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 熊敏;朱杰 | 申请（专利权）人： | 苏州镓港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该激光器包括：衬底、非掺杂的第一布拉格反射镜、第一接触层、非掺杂的下包覆层、非掺杂的第一台面，所述第一台面包括依次形成于下包覆层上的有源层和上包覆层；n型掺杂的第二台面，形成于所述第一台面上，所述第二台面包括依次形成于第一台面上的电流扩展层和第二接触层，所述第二台面的侧面p型扩散形成环形的扩散区；以及非掺杂的第二布拉格反射镜，形成于所述第二台面上。本发明通过微台面侧边选区p型扩散的方法，利用p++n结耗尽区进行电流限制，避免了难度高与良率低的氧化与多次外延工艺。另外，采用非掺杂DBR结构，在降低外延生长难度的同时还可以降低自由载流子吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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