[发明专利]一种利用石墨烯抑制铂表面的硒化反应以及控制单层二硒化铂生长的方法在审
| 申请号： | 202111286740.2 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114162791A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 刘中流;朱知力;武旭;王业亮;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;C01B32/184;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 焦海峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用石墨烯抑制铂表面的硒化反应以及控制单层二硒化铂生长的方法；在直接硒化法生长二硒化铂的过程中，通过向在真空中被加热至合适温度的铂(111)晶面上沉积硒原子，可以在铂的表面上外延生长单层的二硒化铂；本发明利用铂(111)表面石墨烯的限域效应对硒化反应的抑制作用，通过在硒化前的铂表面上外延生长石墨烯，可以实现对上述硒化反应的抑制；通过控制石墨烯的覆盖区域可以实现对特定区域的硒化反应产生抑制，从而控制单层二硒化铂的形貌；这种对单层二硒化铂生长的控制方法为实现该种二维材料的图案化提供了新的途径，在低维材料、纳米电子学、传感和催化等相关研究与应用方面具有广泛的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 石墨 抑制 表面 反应 以及 控制 单层 二硒化铂 生长 方法 | ||
【主权项】：
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