[发明专利]一种高纯金属真空升华的除杂方法在审
| 申请号： | 202111288177.2 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113999981A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄杰杰;何志达;李清宇 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C22B9/04 | 分类号： | C22B9/04;C22B17/02;C22B17/06;C22B19/32;C22B30/02;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/52;C01B19/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 付丽 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯金属真空升华的除杂方法，包括：将石英舟进行镀碳处理，得到镀碳石英舟；将待除杂物料放入镀碳石英舟中进行升华处理。本发明提供了一种可以去除产品表面杂质的方法，通过设定合理的真空度、加热温度、恒温时间，通过升华方式，使产品表面的杂质随锑蒸气冷凝至冷凝坩埚；本发明提供的方法可以去除锑表面的碳、氧、硅、钙等杂质，生产出来的产品表面光亮，无氧化物，呈碲金属本身。本发明提供的高纯锑真空升华方法，工艺简单、成本低、效率高、提纯效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 金属 真空 升华 方法 | ||
【主权项】：
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