[发明专利]校准件制备的方法及校准件在审
| 申请号： | 202111291413.6 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114114120A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王一帮;霍晔;吴爱华;梁法国;栾鹏;刘晨;孙静;李彦丽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 彭竞驰 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 制备 方法 | ||
【主权项】：
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