[发明专利]一种远红外光层状传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202111293997.0 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114018304A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 于志强;石青;陈会金;郭越;黄强 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01D5/40 | 分类号： | G01D5/40;H01Q1/36;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种远红外光层状传感器及制备方法，传感器包括：上层纳米天线结构、下层纳米天线结构、二维半导体材料和基底；下层纳米天线结构设置在基底上，二维半导体材料设置在下层纳米天线结构上，上层纳米天线结构设置在二维半导体材料上；上层纳米天线结构中的第一纳米天线与下层纳米天线结构中的第二纳米天线不对齐，且存在投影重叠区域。本发明将二维半导体材料设置在上层纳米天线结构和下层纳米天线结构之间，通过选择不同厚度的二维半导体材料，可以较为容易地获得纳米级以及亚纳米级不同间隙的传感器，能够批量化获得10nm下不同间隙的金属阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外光 层状 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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