[发明专利]LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111294804.3 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114023857A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 廖寅生;李森林;毕京锋;王亚宏 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层和第一型限制层，所述第一型窗口层的材质为AlGaAs，并且为Al组分渐变的结构层，所述第一型窗口层的厚度为1.5μm～8μm。本发明通过形成Al组分渐变的第一型窗口层可以提高LED芯片的出光效率、降低LED芯片的工作电压以及提高LED芯片的高温老化稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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