[发明专利]一种基于NMOS上拉驱动器的热插拔结构有效
| 申请号： | 202111294859.4 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114006614B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 喻丹;高国平;于群 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于NMOS上拉驱动器的热插拔结构，属于集成电路I/O端口领域，输入端A接反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端同时接NMOS管N1的漏端和NMOS管N3的栅端；NMOS管N3的漏端接电源VCC，源端接NMOS管N4的漏端和输出端Y；输入端A接NMOS管N2的漏端和NMOS管N4的栅端，NMOS管N4的漏端接NMOS管N3的源端和输出端Y；输出端Y与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端连接NMOS管N5的漏端，NMOS管N5的源端与NMOS管N6的漏端和NMOS管N7的漏端同时相连，NMOS管N6和NMOS管N7的漏端作为NMOS管N3的衬底电位B。本发明使用隔离NMOS管作为输出级上拉管实现，通过NMOS的衬底浮置结构设计能够实现驱动级的端口热插拔需求，增强了输出级下拉的驱动能力，另外消除了上拉NMOS管的衬底偏置效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nmos 驱动器 热插拔 结构 | ||
【主权项】：
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