[发明专利]三维存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111295040.X | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113889480A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 丁蕾;高晶;杨川;喻兰芳;严萍;张森;许波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于形成3D NAND存储器器件的栅极结构的方法。所述方法包括：在衬底(100)上形成包括多个电介质层对的交替电介质堆叠(200)，所述多个电介质层对中的每一个包括第一电介质层(210)和与第一电介质层不同的第二电介质层(220)(100)；形成垂直穿过所述交替电介质堆叠并沿水平方向延伸的缝隙(400)；通过所述缝隙(400)移除所述交替电介质堆叠(200)中的多个第二电介质层(220)，以形成多个水平沟槽(410)；在所述多个水平沟槽(410)的每一个中形成栅极结构(500)；在所述缝隙(400)的侧壁上形成间隔层(700)以覆盖所述栅极结构(500)，其中所述间隔层(700)具有层压结构；以及在所述缝隙中形成导电壁(900)，其中所述导电壁(900)通过所述间隔层(700)与所述栅极结构(500)绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
