[发明专利]一种低温柔性应变传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202111297067.2 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114485376A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 孙士斌;秦治伟;常雪婷;顾邦平 | 申请（专利权）人： | 上海海事大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;A61B5/00;A61B5/02;A61B5/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温柔性应变传感器的制备方法，其特征在于包括：步骤1，通过模具成型法的方式，制备柔性基底；步骤2，将预拉伸的柔性基底固定在磁控溅射真空室的基座上，用银靶进行溅射，并引出电极；步骤3，将CNTs和SDS粉末混合，得到分散均匀的碳纳米管导电物质；步骤4，将步骤3得到的碳纳米管导电物质沉积在步骤2的银层上，得到低温柔性应变传感器的半成品；步骤5，将步骤4得到的低温柔性应变传感器的半成品进行封装处理，得到低温柔性应变传感器。采用本发明提出的方法制备得到的传感器在低温下具有良好的柔性，优异的拉伸电学性能，大的拉伸应变范围和高灵敏度，能够应用于低温条件下人体运动状态的监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 柔性 应变 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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