[发明专利]带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管及制作方法在审
| 申请号： | 202111297683.8 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114023808A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周弘;刘亦琛;苏春旭;张进成;刘志宏;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/205;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管，主要解决现击穿电压和导通电流密度低的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、多沟道层、GaN帽层和钝化层，该多沟道层和GaN帽层的两侧为阴极，中间为圆形槽状阳极，且阳极上端与槽口上表面有水平方向上的交叠，该GaN帽层的上部与阳极上端水平部分之间设有环状P型终端，该多沟道层包括n组沟道，每组由上AlGaN势垒层、AlN插入层和下GaN沟道层组成。本发明能缓解阳极附近电场集中现象，提高击穿电压，同时加强沟道对电子限制，提高电流密度，获得更好的功率特性，可用作电力系统的核心器件。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 algan gan 异质结多 沟道 功率 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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