[发明专利]一种解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺在审
| 申请号： | 202111301074.5 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114038734A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 廖世保;刘大威;卢证凯;陈新来 | 申请（专利权）人： | 至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 林志豪 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺，涉及到半导体制造技术领域，包括第一次化学药液清洗、第一次超纯水清洗、干燥及表面覆盖处理、高温异丙醇的植入覆盖、超临界流体植入、异丙醇及超临界流体的析出等操作步骤，可以将夹带水分子的异丙醇分子排除晶圆表面，达成对湿法工艺的处理后的晶圆表面性质的稳定度控制，避免晶圆表面的水分子及异丙醇分子的张力拉拔图形化崩毁之现象产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 先进 节点 图案 化崩毁 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
