[发明专利]一种薄膜制备方法及光电探测器在审
| 申请号： | 202111301989.6 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114122192A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱元昊;陈明;杨春雷;陈志勇;严振;徐泽林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 刘婷;朱伟军 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本申请属于光电探测技术领域，特别是涉及一种薄膜制备方法及光电探测器。现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低，限制了光电探测器的性能。本申请提供了一种薄膜制备方法，在温度小于250℃的条件下，通过加热锡材料源和硒材料源，使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。SnSe |
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| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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