[发明专利]忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法，其中，忆阻器单元置于两层金属互连线中间并通过金属通孔与上下金属互连线连通，且忆阻器单元之上设置有刻蚀停止层，可以在刻蚀忆阻器单元的上通孔时对忆阻器结构形成有效保护，从而使金属通孔对接结构部分能够实现良好对接的同时不损伤忆阻器结构，能够在保证忆阻器性能的条件下实现忆阻器单元与CMOS电路的电学连接；本发明在标准CMOS工艺的基础上，采用后端工艺集成的方法，实现了忆阻器与CMOS电路的混合集成。通过本发明的方法，可以在仅增加少量几步工艺、两层版图的基础上在金属互连层制备实现高性能的忆阻器件，实现忆阻器与CMOS电路的互联并且不会对CMOS器件性能造成影响。