[发明专利]一种复合衬底结构及其形貌改善方法在审
| 申请号： | 202111312110.8 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114242766A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;陈阳;黄凯 | 申请（专利权）人： | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别涉及一种复合衬底结构及其形貌改善方法。结构包括依次设置的第一应力平衡层、衬底层、第二应力平衡层、介质层和功能薄膜层；第一应力平衡层和第二应力平衡层材质相同，且制作工艺相同；第一应力平衡层用于根据复合衬底结构中的应力分布调整第一应力平衡层的厚度，以使复合衬底结构的形貌改善；第二应力平衡层用于平衡制作第一应力平衡层时所产生的应力。该复合衬底结构中，通过在衬底层的背面设置第一应力平衡层，第一应力平衡层作为应力补偿层，在制备异质集成衬底时，通过调节该层的厚度实现晶圆形貌的优化，从而使异质晶圆的整体形貌能够更有利于后续的流片加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 结构 及其 形貌 改善 方法 | ||
【主权项】：
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